| 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法 | |
朱洪亮; 朱小宁 ; 刘德伟; 马丽; 赵玲娟
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑硅材料广谱吸收的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，为光电流作出贡献，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1μm以上波长太阳光谱的问题，有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN201010113777.0 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010113777.0 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22223 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 朱洪亮,朱小宁,刘德伟,等. 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法. CN201010113777.0. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010113777.0.pdf（559KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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