| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 |
| 郭严; 宋华平 ; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，包括：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在氮化后的衬底上生长InGaN薄膜；关闭铟源和镓源，反应室温度降到300摄氏度以下关闭氨气，继续通入氨气的作用是抑制InGaN材料的高温热分解；降温，反应室温度由300摄氏度降至室温后，将样品取出。本发明利用衬底应力调制，无需缓冲层，有效提高了In组分并入的方法制备高质量的富In组分InGaN薄膜材料。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010157637.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010157637.3
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22213
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郭严,宋华平,郑高林,等. 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法. CN201010157637.3.
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