| 一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法 | |
| 肖海波; 曾湘波; 谢小兵; 姚文杰; 彭文博; 刘石勇 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法，该方法包括：在柔性衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀；沉积完P型层后，将电池从反应室取出，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，能改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能，同时处理过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN201010162332.1 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010162332.1 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22209 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 肖海波,曾湘波,谢小兵,等. 一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法. CN201010162332.1. |
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| CN201010162332.1.pdf（351KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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