垂直发射量子级联激光器结构 | |
郭万红; 刘俊岐; 陆全勇; 张伟; 江宇超; 李路![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明提供一种垂直发射量子级联激光器结构,包括:一衬底,在该衬底上依次生长有波导层、有源层和接触层;金属光栅层,该金属光栅层位于接触层的上面,并且该金属光栅层具有二级布拉格周期。 |
metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Patent Number | CN201010171511.1 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010171511.1 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22207 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 郭万红,刘俊岐,陆全勇,等. 垂直发射量子级联激光器结构. CN201010171511.1. |
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