| 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 | |
朱洪亮; 张兴旺 ; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 黄永光
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种以掺杂广谱吸收层作为太阳能电池背光面的结构。该掺杂广谱吸收层，包括凹凸不平的晶锥掺杂黑硅、熔融凝固后的掺杂准平面硅，以及离子注入掺杂退火后的平面硅。本发明同时公开了一种制作背光面广谱吸收硅基太阳能电池结构的方法。本发明能有效提高硅基太阳能电池的光电转换效率。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN201010175445.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010175445.5 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22203 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 朱洪亮,张兴旺,朱小宁,等. 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法. CN201010175445.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010175445.5.pdf（550KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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