| 制作ZnO基异质结发光二极管的方法 | |
张曙光; 尹志岗; 张兴旺 ; 游经碧
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明提供一种制作ZnO基异质结发光二极管的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积p-GaN薄膜；2)在p-GaN薄膜上生长ZnO薄膜；3)采用湿法腐蚀，将p-GaN薄膜上的ZnO薄膜的一侧腐蚀掉，露出p-GaN薄膜，形成台面；4)在p-GaN薄膜的台面上制作p型电极；5)在ZnO薄膜上制作n型电极。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN201010183370.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010183370.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22201 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张曙光,尹志岗,张兴旺,等. 制作ZnO基异质结发光二极管的方法. CN201010183370.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010183370.5.pdf（319KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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