| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 | |
| 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底的表面依次生长有源层和限制层，作为器件的基本结构；步骤2：在限制层的表面制作光刻图形；步骤3：光刻，在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构，刻蚀深度到达有源层的表面；步骤4：在双沟脊型结构内及限制层的表面涂聚酰亚胺介质层，预固化；步骤5：在聚酰亚胺介质层的表面涂光刻胶，烘干；步骤6：曝光，显影去掉双沟脊型结构上的及限制层表面的聚酰亚胺介质层，固化，完成器件的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN201010196156.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010196156.3 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22197 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王宝军,朱洪亮,赵玲娟,等. 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法. CN201010196156.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010196156.3.pdf（239KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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