| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 |
| 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底的表面依次生长有源层和限制层，作为器件的基本结构；步骤2：在限制层的表面制作光刻图形；步骤3：光刻，在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构，刻蚀深度到达有源层的表面；步骤4：在双沟脊型结构内及限制层的表面涂聚酰亚胺介质层，预固化；步骤5：在聚酰亚胺介质层的表面涂光刻胶，烘干；步骤6：曝光，显影去掉双沟脊型结构上的及限制层表面的聚酰亚胺介质层，固化，完成器件的制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010196156.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010196156.3
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22197
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王宝军,朱洪亮,赵玲娟,等. 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法. CN201010196156.3.
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