| 异质掩埋激光器的制作方法 |
| 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2011-08-31
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 一种异质掩埋激光器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上生长有源层,作为激光器件的发射区;步骤2:在有源层的表面生长SiO2层,在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用;步骤3:光刻,在SiO2层表面的两侧,将SiO2层和有源层刻蚀掉,使中间形成微米级脊型台面,光刻后的有源层成为激光器件的发射区;步骤4:用MOCVD技术,在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层,使脊型台面上形成沟道;步骤5:去掉脊型台面表面上的SiO2层;步骤6:用MOCVD技术,在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层,完成器件的制作。 |
部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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专利号 | CN201010196147.4
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN201010196147.4
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专利代理人 | 汤保平
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22195
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专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
王宝军,朱洪亮,赵玲娟,等. 异质掩埋激光器的制作方法. CN201010196147.4.
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