| 异质掩埋激光器的制作方法 | |
| 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO2层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO2层表面的两侧，将SiO2层和有源层刻蚀掉，使中间形成微米级脊型台面，光刻后的有源层成为激光器件的发射区；步骤4：用MOCVD技术，在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层，使脊型台面上形成沟道；步骤5：去掉脊型台面表面上的SiO2层；步骤6：用MOCVD技术，在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层，完成器件的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN201010196147.4 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010196147.4 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22195 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王宝军,朱洪亮,赵玲娟,等. 异质掩埋激光器的制作方法. CN201010196147.4. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010196147.4.pdf（273KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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