| 基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 |
| 孔端花; 朱洪亮; 梁松
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导；在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟；在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极；将N型磷化铟衬底减薄；在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极，完成器件的制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010231175.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010231175.5
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22189
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孔端花,朱洪亮,梁松. 基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法. CN201010231175.5.
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