| 基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 | |
孔端花; 朱洪亮; 梁松
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导；在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟；在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极；将N型磷化铟衬底减薄；在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极，完成器件的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN201010231175.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010231175.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22189 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孔端花,朱洪亮,梁松. 基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法. CN201010231175.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010231175.5.pdf（418KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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