| 氮化镓生长方法 | |
段瑞飞 ; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种氮化镓生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上采用磁控溅射、脉冲激光沉积或MOCVD的方法，生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上采用MOCVD、HVPE或者脉冲激光沉积、磁控溅射的方法，生长外延层。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN200810224104.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200810224104.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22173 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 段瑞飞,魏同波,王国宏,等. 氮化镓生长方法. CN200810224104.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200810224104.5.pdf（242KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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