| 透明电极GaN基LED结构及其制作方法 | |
杨华 ; 王晓峰; 阮军; 王国宏; 曾一平
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种透明电极GaN基LED结构，包括：一衬底；一N型GaN层，该N型GaN层生长在衬底上；一GaN材料有源层，该GaN材料有源层制作在N型GaN层上，该GaN材料有源层的面积小于N型GaN层的面积，而位于N型GaN层的一侧，在N型GaN层的另一侧形成有一台面；一P型GaN层，该P型GaN层制作在GaN材料有源层上；一ZnO层，该ZnO层制作在P型GaN层上；一P型电极，该P型电极制作在ZnO层上；一N型电极，该N型电极制作在N型GaN层的台面上。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN200910081994.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910081994.3 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22169 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨华,王晓峰,阮军,等. 透明电极GaN基LED结构及其制作方法. CN200910081994.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910081994.3.pdf（194KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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