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平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极,属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形,N型焊盘位于平行四边形的一个角上,N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周,P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心,P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布,然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布,在LED芯片内部N电极与P电极对称分布,保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀,从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。
部门归属中科院半导体照明研发中心
专利号CN201010113804.4
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010113804.4
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22157
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
孙莉莉,闫发旺,张会肖,等. 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极. CN201010113804.4.
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