利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 | |
张连; 丁凯![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:在衬底上依次生长低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区、宽禁带势垒层和p型层,形成外延片;步骤3:在外延片上面的一侧进行刻蚀,刻蚀深度到达n型层的表面,形成一台面;步骤4:在该台面上制备一n电极;步骤5:在p型层的上面,制备一p电极。 |
metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
Patent Number | CN201010119349.9 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010119349.9 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22153 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张连,丁凯,王军喜,等. 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法. CN201010119349.9. |
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CN201010119349.9.pdf(401KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
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