| 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 | |
| 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用本发明，能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外，非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质)，这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义，本发明将开辟GaN基稀磁半导体研究的新领域。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN201010201505.6 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010201505.6 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22143 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙莉莉,闫发旺,张会肖,等. 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法. CN201010201505.6. |
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| CN201010201505.6.pdf（325KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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