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采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法,该方法采用金属有机化合物气相外延工艺,具体步骤如下:选择一衬底;在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜;以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用本发明,能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外,非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质),这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义,本发明将开辟GaN基稀磁半导体研究的新领域。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent NumberCN201010201505.6
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010201505.6
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22143
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
孙莉莉,闫发旺,张会肖,等. 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法. CN201010201505.6.
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