| 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 |
| 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2011-08-31
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法,该方法采用金属有机化合物气相外延工艺,具体步骤如下:选择一衬底;在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜;以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用本发明,能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外,非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质),这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义,本发明将开辟GaN基稀磁半导体研究的新领域。 |
部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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专利号 | CN201010201505.6
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN201010201505.6
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专利代理人 | 周国城
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22143
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专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
孙莉莉,闫发旺,张会肖,等. 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法. CN201010201505.6.
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