| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 | |
汪炼成; 郭恩卿; 刘志强 ; 伊晓燕; 王国宏
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；步骤2：在氮化镓LED层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底；步骤3：减薄转移衬底，然后抛光；步骤4：用激光刻划方法在转移衬底的表面上刻划图形，作为光刻对准标记；步骤5：在作好光刻对准标记的转移衬底上采用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在转移衬底上面的中间形成光刻胶图形，该光刻胶图形的面积小于转移衬底的面积；步骤6：选择腐蚀液腐蚀掉未被光刻胶图形覆盖的转移衬底，使转移衬底四周形成台面；步骤7：剥离光刻胶，清洗吹干，完成转移衬底的腐蚀。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN201010251509.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010251509.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22135 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 汪炼成,郭恩卿,刘志强,等. 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法. CN201010251509.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010251509.5.pdf（292KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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