| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 | |
郭恩卿; 刘志强 ; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法，包括：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成第一台面；在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，该侧壁绝缘薄膜并覆盖外延层上表面的四周；在外延层及侧壁绝缘薄膜的上面制作P电极；然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底，形成第二台面；在第二台面上制作绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖外延层的四周及其侧壁绝缘薄膜的上表面；在第二台面的外延层的部分表面及部分绝缘薄膜的上表面，制作N电极，该N电极的焊盘在外延层以外的区域，完成发光二极管芯片桥联电极的制备。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN201010251507.6 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010251507.6 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22133 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郭恩卿,刘志强,汪炼成,等. 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法. CN201010251507.6. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010251507.6.pdf（317KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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