| 一种增强LED出光效率的粗化方法 | |
孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
| |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种增强LED出光效率的粗化方法，用于对LED的ITO层、P型层、N型层和衬底背面进行纳米级粗化，以提高LED的出光效率，该方法包括：步骤1：在需要粗化的薄膜上旋涂光刻胶；步骤2：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该需要粗化的薄膜上形成一层纳米尺寸胶点；步骤3：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该需要粗化的薄膜；步骤4：湿法去除光刻胶并清洗，完成薄膜的粗化。本发明提供的这种粗化方法，具有低温、低成本、低污染及与传统的LED工艺相兼容等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN201010263076.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010263076.5 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22129 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙莉莉,闫建昌,王军喜,等. 一种增强LED出光效率的粗化方法. CN201010263076.5. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010263076.5.pdf（279KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment