| 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构 |
| 熊聪; 王俊; 崇锋; 刘素平; 马骁宇
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构，其中包括：一衬底，用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，制作在衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下波导层，制作在N型下限制层上；一有源区，制作在下波导层上；一界面层，制作在有源区上；一P型上限制层，制作在界面层上；一过渡层，制作在P型上限制层上；一电极接触层，制作在过渡层上；一双沟，刻蚀在电极接触层上，刻蚀深度至下波导层以内，在双沟之间形成脊型台面；一钝化膜层，制作在电极接触层的上表面和双沟底部及两侧，所述脊型台面上的钝化膜层为断开的；一P面电极，制作在脊型台面上，与电极接触层接触；一N面电极，制作在衬底的下面。 |
| 部门归属 | 光电子器件国家工程中心
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| 专利号 | CN200910080071.6
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910080071.6
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22111
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| 专题 | 光电子器件国家工程中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
熊聪,王俊,崇锋,等. 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构. CN200910080071.6.
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