| 高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构 | |
| 王冠; 王俊; 崇锋; 马骁宇 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型镓砷材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，为N-镓砷材料，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，为N-铝镓砷材料，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，为N-铝镓砷材料，该下波导层制作在下限制层上；一下垒层，为镓砷磷材料，该下垒层制作在下波导层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；一上波导层，该上波导层制作在上垒层上；一P型上限制层，为P-铝镓砷材料，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，为P-镓砷材料，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，为P-镓砷材料，该电极接触层制作在过渡层上。 |
| metadata_83 | 光电子器件国家工程中心 |
| Patent Number | CN201010157501.2 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010157501.2 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22091 |
| Collection | 光电子器件国家工程中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王冠,王俊,崇锋,等. 高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构. CN201010157501.2. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010157501.2.pdf（226KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment