| 高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构 |
| 王冠; 王俊; 崇锋; 马骁宇
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型镓砷材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，为N-镓砷材料，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，为N-铝镓砷材料，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，为N-铝镓砷材料，该下波导层制作在下限制层上；一下垒层，为镓砷磷材料，该下垒层制作在下波导层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；一上波导层，该上波导层制作在上垒层上；一P型上限制层，为P-铝镓砷材料，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，为P-镓砷材料，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，为P-镓砷材料，该电极接触层制作在过渡层上。 |
| 部门归属 | 光电子器件国家工程中心
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| 专利号 | CN201010157501.2
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010157501.2
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22091
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| 专题 | 光电子器件国家工程中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王冠,王俊,崇锋,等. 高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构. CN201010157501.2.
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