高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构 | |
王冠; 王俊; 崇锋; 马骁宇 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构,包括:一衬底,为(100)面的N型镓砷材料,该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料;一缓冲层,为N-镓砷材料,该缓冲层制作在衬底上;一N型下限制层,为N-铝镓砷材料,该N型下限制层制作在缓冲层上;一下波导层,为N-铝镓砷材料,该下波导层制作在下限制层上;一下垒层,为镓砷磷材料,该下垒层制作在下波导层上;一量子阱层,该量子阱层制作在下垒层上;一上垒层,该上垒层制作在量子阱层上;一上波导层,该上波导层制作在上垒层上;一P型上限制层,为P-铝镓砷材料,该P型上限制层制作在上波导层上;一过渡层,为P-镓砷材料,该过渡层制作在P型上限制层上;一电极接触层,为P-镓砷材料,该电极接触层制作在过渡层上。 |
metadata_83 | 光电子器件国家工程中心 |
Patent Number | CN201010157501.2 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010157501.2 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22091 |
Collection | 光电子器件国家工程中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王冠,王俊,崇锋,等. 高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构. CN201010157501.2. |
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