| 正多边形微腔双稳半导体激光器 | |
黄永箴; 杨跃德 ; 王世江
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种正多边形微腔双稳半导体激光器，其特征在于，该半导体激光器由平板波导经刻蚀制成，包括一正多边形的谐振腔和一输出波导，且该输出波导与该正多边形的谐振腔连接或耦合。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200810224106.4 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200810224106.4 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22089 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 黄永箴,杨跃德,王世江. 正多边形微腔双稳半导体激光器. CN200810224106.4. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200810224106.4.pdf（529KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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