| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 | |
卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明 ; 杨辉
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3，氮气N2和适量氢气H2，生长出AlInN单晶外延膜。利用本发明，可以提高AlInN的结晶质量，并改善其表面形貌，提高其表面的平整度。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200810225783.8 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200810225783.8 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22081 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 卢国军,朱建军,赵德刚,等. 一种生长AlInN单晶外延膜的方法. CN200810225783.8. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200810225783.8.pdf（448KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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