一种生长AlInN单晶外延膜的方法 | |
卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法,包括如下步骤:选择一衬底;将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内,升温至生长温度,同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3,氮气N2和适量氢气H2,生长出AlInN单晶外延膜。利用本发明,可以提高AlInN的结晶质量,并改善其表面形貌,提高其表面的平整度。 |
metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
Patent Number | CN200810225783.8 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200810225783.8 |
Patent Agent | 周国城 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22081 |
Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 卢国军,朱建军,赵德刚,等. 一种生长AlInN单晶外延膜的方法. CN200810225783.8. |
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