| 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法 |
| 陈弘达; 王伟
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种硅基正向注入发光器件及其制作方法，该器件包括：P型硅衬底；嵌入于该P型硅衬底中的N阱；由N+重掺杂有源区与P+重掺杂有源区交替构成的U形梳状结构，该U形梳状结构剖面为N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+的结构，嵌入于N阱中；位于N阱环形周围的一个P+重掺杂有源区，该P+重掺杂有源区嵌入于P型硅衬底中，构成P+衬底接触；位于器件P+-P+之间上方的SiO2栅氧化层；位于该SiO2栅氧化层上的多晶硅栅，该多晶硅栅为条状U形结构；所述N+重掺杂有源区通过金属与阴极连接，所述阱中的P+重掺杂有源区、P+间的多晶硅栅和N阱外侧的P+衬底接触通过金属连接引出阳极。利用本发明，采用P型衬底和N阱内P+重掺杂有源区均向阴极进行双重注入实现PN结正向发光。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200910076949.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910076949.9
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22071
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
陈弘达,王伟. 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法. CN200910076949.9.
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