| 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法 | |
| 陈弘达; 王伟 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种硅基正向注入发光器件及其制作方法，该器件包括：P型硅衬底；嵌入于该P型硅衬底中的N阱；由N+重掺杂有源区与P+重掺杂有源区交替构成的U形梳状结构，该U形梳状结构剖面为N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+的结构，嵌入于N阱中；位于N阱环形周围的一个P+重掺杂有源区，该P+重掺杂有源区嵌入于P型硅衬底中，构成P+衬底接触；位于器件P+-P+之间上方的SiO2栅氧化层；位于该SiO2栅氧化层上的多晶硅栅，该多晶硅栅为条状U形结构；所述N+重掺杂有源区通过金属与阴极连接，所述阱中的P+重掺杂有源区、P+间的多晶硅栅和N阱外侧的P+衬底接触通过金属连接引出阳极。利用本发明，采用P型衬底和N阱内P+重掺杂有源区均向阴极进行双重注入实现PN结正向发光。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200910076949.9 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910076949.9 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22071 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈弘达,王伟. 一种硅基正向注入发光器件及其制作方法. CN200910076949.9. |
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| CN200910076949.9.pdf（485KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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