| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 | |
刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明 ; 朱建军; 王辉; 杨辉
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200910077383.1 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910077383.1 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22069 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘文宝,孙苋,赵德刚,等. 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法. CN200910077383.1. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910077383.1.pdf（619KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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