| 一种量子级联正多边形微腔激光器及其制作方法 | |
李敬; 黄永箴; 杨跃德
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种量子级联正多边形微腔激光器，包括：一量子级联外延层的衬底；一下限制层，位于该衬底之上；一有源区/注入区，位于该下限制层之上；一上限制层，在该有源区/注入区之上；一上包层，包含欧姆接触层；该下限制层、有源区/注入区、上限制层和上包层的侧壁由绝缘层包裹，该绝缘层由正面电极层包裹。本发明同时公开了一种量子级联正多边形微腔激光器的制作方法。本发明用SiO2绝缘层和Ti/Ag/Au电极层包裹量子级联正多边形柱状微腔激光器的刻蚀侧壁，增强了对微腔内光场的限制，提高了微腔内模式的品质因子，而且激光器结构简单，制作工艺方便。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200910081990.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910081990.5 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22065 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李敬,黄永箴,杨跃德. 一种量子级联正多边形微腔激光器及其制作方法. CN200910081990.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910081990.5.pdf（519KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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