SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器
张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器,包括:一衬底;一N型欧姆接触层,该N型欧姆接触层制作在衬底上;一I型有源层,该I型有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间,该I型有源层的面积小于N型欧姆接触层的面积,使N型欧姆接触层的两侧各形成一台面;一P型有源层,该P型有源层制作在I型有源层上;两N型欧姆电极,该两N型欧姆电极分别制作在N型欧姆接触层上面两侧的台面上;一肖特基电极,该肖特基电极制作在P型有源层上。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN200910085926.4
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910085926.4
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22055
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
张爽,赵德刚,刘文宝,等. 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器. CN200910085926.4.
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