SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种制备薄膜材料的方法
俞育德; 李运涛; 余金中; 陈诺夫; 俞海龙
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种制备薄膜材料的方法,包括:步骤1:将制备薄膜的材料粉末置于粉仓中;步骤2:将带有电极极性的感光鼓置于粉仓上,通过静电的吸附作用将材料粉末吸附于感光鼓上;步骤3:将吸附有材料粉末的感光鼓置于一材料基底的上方;步骤4:感光鼓放电,使粉末均匀地分布于材料基底的表面;步骤5:对材料基底表面的材料粉末进行结晶化处理,在材料基底的表面形成薄膜材料。利用本发明,工艺成熟、制作成本低,比现行的方法至少低一个数量级。另外,本发明借鉴了静电压印技术,技术成熟度高。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN200910090350.0
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910090350.0
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22045
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
俞育德,李运涛,余金中,等. 一种制备薄膜材料的方法. CN200910090350.0.
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