| 硅基化合物半导体激光器的制作方法 | |
于丽娟 ; 杜云; 赵烘泉; 黄永箴
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种硅基化合物半导体激光器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上形成磷化铟激光器基片；将一N型硅片与上述激光器基片键合、退火，去掉N型磷化铟衬底及P型缓冲层，形成复合片；刻蚀P型欧姆接触层、第一P型覆盖层和腐蚀停止层的两侧，形成脊形波导；在脊形波导两侧制备绝缘隔离层；在脊形波导的顶部制备P型金属电极；刻蚀距脊形波导一侧部分的绝缘隔离层、第二P型覆盖层、本证波导层、有源区本证量子阱、本证波导层和N型波导层，露出N型覆盖层，形成N电极窗口；在N电极窗口上制备N型金属电极；将N型硅片减薄；解理形成单个管芯；将管芯焊接到铜热沉上，在热沉上制备一微晶玻璃，并连线；完成硅基化合物半导体激光器的制作。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200910091403.0 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910091403.0 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22035 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 于丽娟,杜云,赵烘泉,等. 硅基化合物半导体激光器的制作方法. CN200910091403.0. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910091403.0.pdf（454KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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