硅基化合物半导体激光器的制作方法 | |
于丽娟![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种硅基化合物半导体激光器的制作方法,包括:在N型磷化铟衬底上形成磷化铟激光器基片;将一N型硅片与上述激光器基片键合、退火,去掉N型磷化铟衬底及P型缓冲层,形成复合片;刻蚀P型欧姆接触层、第一P型覆盖层和腐蚀停止层的两侧,形成脊形波导;在脊形波导两侧制备绝缘隔离层;在脊形波导的顶部制备P型金属电极;刻蚀距脊形波导一侧部分的绝缘隔离层、第二P型覆盖层、本证波导层、有源区本证量子阱、本证波导层和N型波导层,露出N型覆盖层,形成N电极窗口;在N电极窗口上制备N型金属电极;将N型硅片减薄;解理形成单个管芯;将管芯焊接到铜热沉上,在热沉上制备一微晶玻璃,并连线;完成硅基化合物半导体激光器的制作。 |
metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
Patent Number | CN200910091403.0 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910091403.0 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22035 |
Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 于丽娟,杜云,赵烘泉,等. 硅基化合物半导体激光器的制作方法. CN200910091403.0. |
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