| 硅基化合物半导体激光器的制作方法 |
| 于丽娟 ; 杜云; 赵烘泉; 黄永箴
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种硅基化合物半导体激光器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上形成磷化铟激光器基片；将一N型硅片与上述激光器基片键合、退火，去掉N型磷化铟衬底及P型缓冲层，形成复合片；刻蚀P型欧姆接触层、第一P型覆盖层和腐蚀停止层的两侧，形成脊形波导；在脊形波导两侧制备绝缘隔离层；在脊形波导的顶部制备P型金属电极；刻蚀距脊形波导一侧部分的绝缘隔离层、第二P型覆盖层、本证波导层、有源区本证量子阱、本证波导层和N型波导层，露出N型覆盖层，形成N电极窗口；在N电极窗口上制备N型金属电极；将N型硅片减薄；解理形成单个管芯；将管芯焊接到铜热沉上，在热沉上制备一微晶玻璃，并连线；完成硅基化合物半导体激光器的制作。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200910091403.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910091403.0
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22035
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
于丽娟,杜云,赵烘泉,等. 硅基化合物半导体激光器的制作方法. CN200910091403.0.
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