SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种基于键合技术制作微波传输线的方法
张岭梓; 曹权; 左玉华; 王启明
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种基于键合技术制作微波传输线的方法,该方法包括:采用键合技术将外延片的外延材料层与键合基片键合在一起;去除外延片的衬底,露出外延片的外延材料层;对外延片的外延材料层进行刻蚀,制作外延器件,将微波传输线制作区域刻蚀至键合界面;在键合界面上制作作为电极传输线的微波传输线。利用本发明,在实现硅基器件集成的同时,可以更容易地制作高质量的微波传输线。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN200910237093.9
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910237093.9
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22015
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
张岭梓,曹权,左玉华,等. 一种基于键合技术制作微波传输线的方法. CN200910237093.9.
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