一种基于键合技术制作微波传输线的方法 | |
张岭梓![]() ![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明公开了一种基于键合技术制作微波传输线的方法,该方法包括:采用键合技术将外延片的外延材料层与键合基片键合在一起;去除外延片的衬底,露出外延片的外延材料层;对外延片的外延材料层进行刻蚀,制作外延器件,将微波传输线制作区域刻蚀至键合界面;在键合界面上制作作为电极传输线的微波传输线。利用本发明,在实现硅基器件集成的同时,可以更容易地制作高质量的微波传输线。 |
metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
Patent Number | CN200910237093.9 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910237093.9 |
Patent Agent | 周国城 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22015 |
Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张岭梓,曹权,左玉华,等. 一种基于键合技术制作微波传输线的方法. CN200910237093.9. |
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