GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 | |
王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2011-08-30 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
摘要 | 本发明一种GaN基光电子器件表面粗化的制作方法,包括:步骤1:取一衬底;步骤2:在该衬底上依次外延生长n型层、i型层及p型层;步骤3:利用纳米加工技术,在p型层上加工形成纳米柱阵列;步骤4:在该纳米柱阵列上外延生长p型表面粗化层。 |
部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
专利号 | CN200910237781.5 |
语种 | 中文 |
专利状态 | 公开 |
申请号 | CN200910237781.5 |
专利代理人 | 汤保平 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22005 |
专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王辉,朱建军,张书明,等. GaN基光电子器件表面粗化的制作方法. CN200910237781.5. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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