| GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 | |
王辉; 朱建军; 张书明 ; 杨辉
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明一种GaN基光电子器件表面粗化的制作方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上依次外延生长n型层、i型层及p型层；步骤3：利用纳米加工技术，在p型层上加工形成纳米柱阵列；步骤4：在该纳米柱阵列上外延生长p型表面粗化层。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200910237781.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910237781.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22005 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王辉,朱建军,张书明,等. GaN基光电子器件表面粗化的制作方法. CN200910237781.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910237781.5.pdf（403KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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