| 氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法 | |
季莲; 张书明 ; 刘宗顺; 杨辉
| |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构，包括：一绝缘衬底；在该绝缘衬底上依次生长第一接触层、第一光限制层、第一波导层；在该第一波导层表面的脊形上分别生长有源区；在该有源区的上面生长有第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极；该第一波导层上面及侧边，在有源区、第二波导层、第二光限制层、第二接触层和P型欧姆接触电极的侧边生长有绝缘层；两个N型欧姆接触电极，分别制作在第一接触层上面的两侧台面的中间；在第一接触层上面两侧暴露出的台面上生长绝缘层；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在第一波导层、有源区、第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极的绝缘层上和P型欧姆接触电极的上面。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200910241546.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910241546.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22003 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 季莲,张书明,刘宗顺,等. 氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法. CN200910241546.5. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910241546.5.pdf（540KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment