| 微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法 | |
| 车凯军; 黄永箴 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法。该边发射FP激光器由下至上依次包括n型衬底(1)、下限制层(2)、有源层(3)、上限制层(4)、P型欧姆接触盖层(5)、侧面绝缘层(6)和正负电极层(7)，其中侧面绝缘层(6)和正负电极层(7)中的P型电极层用于侧向限制光场，增强腔侧向的光场或模式限制，降低腔激射阈值，提高腔端面出射效率和激光器的输出的功率。利用本发明，克服了微纳型半导体激光器定向输出的问题，并且易于分析激光器出射的FP模式，光电集成中激光光源将在二维方向上达到纳米尺寸，提高了光电器件的集成度。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010101999.0 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010101999.0 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21975 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 车凯军,黄永箴. 微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法. CN201010101999.0. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010101999.0.pdf（944KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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