用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法 | |
晏磊; 于丽娟![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法,包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的GaAs、InP晶片在多种有机溶剂中反复煮洗,以去掉晶片表面的残留有机物分子,并初步提高晶片表面的亲水性;步骤2:将步骤1处理后的GaAs、InP晶片,分别进行去金属氧化物处理、去C元素处理和亲水性处理;步骤3:在键合夹具的协助下,将亲水处理后的GaAs、InP晶片在去离子水中对准晶向并贴合;步骤4:将贴合后的晶片置于干燥箱中烘干,除去贴合晶片表面水份和界面部分水气,形成晶片间范德瓦耳斯结合;步骤5:进行低温退火,退火后对GaAs晶片单面减薄;步骤6:进行高温退火,最终实现键合界面的原子原子键结合,完成GaAs、InP晶片低温键合过程。 |
metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
Patent Number | CN201010128380.9 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010128380.9 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21953 |
Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 晏磊,于丽娟. 用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法. CN201010128380.9. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
CN201010128380.9.pdf(379KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment