| 用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法 | |
晏磊; 于丽娟
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的GaAs、InP晶片在多种有机溶剂中反复煮洗，以去掉晶片表面的残留有机物分子，并初步提高晶片表面的亲水性；步骤2：将步骤1处理后的GaAs、InP晶片，分别进行去金属氧化物处理、去C元素处理和亲水性处理；步骤3：在键合夹具的协助下，将亲水处理后的GaAs、InP晶片在去离子水中对准晶向并贴合；步骤4：将贴合后的晶片置于干燥箱中烘干，除去贴合晶片表面水份和界面部分水气，形成晶片间范德瓦耳斯结合；步骤5：进行低温退火，退火后对GaAs晶片单面减薄；步骤6：进行高温退火，最终实现键合界面的原子原子键结合，完成GaAs、InP晶片低温键合过程。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010128380.9 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010128380.9 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21953 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 晏磊,于丽娟. 用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法. CN201010128380.9. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010128380.9.pdf（379KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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