| 一种双谐振腔与波导的耦合结构 | |
王世江; 黄永箴; 杨跃德
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种双谐振腔与波导的耦合结构，该结构包括：一个衬底；两个制作于衬底上的谐振腔；以及一个制作于衬底上且位于两个谐振腔之间的条形输出波导。利用本发明，由于此种结构对波导与谐振腔的间隙要求不高，因此可以有效地解决了原来谐振腔与波导间隙不能做的比较小的问题，并且有效地提高了耦合模式的品质因子和耦合输出效率。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010175443.6 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010175443.6 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21937 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王世江,黄永箴,杨跃德. 一种双谐振腔与波导的耦合结构. CN201010175443.6. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010175443.6.pdf（1030KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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