| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 | |
胡炜玄; 成步文; 薛春来 ; 张广泽; 王启明
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法，包括以下步骤：步骤1：在一外延生长装置中置入硅衬底；步骤2：在硅衬底上生长锗缓冲层；步骤3：在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底，锗的原子组分大于0.5且小于1。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010183385.1 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010183385.1 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21931 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 胡炜玄,成步文,薛春来,等. 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法. CN201010183385.1. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010183385.1.pdf（216KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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