| 一种紫外红外双色探测器及制作方法 | |
| 刘宗顺; 赵德刚; 朱建军; 张书明; 王辉; 江德生; 杨辉 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010183403.6 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010183403.6 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21927 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘宗顺,赵德刚,朱建军,等. 一种紫外红外双色探测器及制作方法. CN201010183403.6. |
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| CN201010183403.6.pdf（841KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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