一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法 | |
韩培德![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明公开了一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法,其特征在于,该方法是在n型Si衬底迎光面制备具有杂质深能级的重掺杂n型Si层,在该重掺杂n型Si层上制备透明导电膜,再在该透明导电膜上制备欧姆接触n电极作为第一电极;在n型Si衬底背面或迎光面制备肖特基电极作为第二电极,或者在n型Si衬底背面或迎光面形成p型Si区域,再在该p型Si区域上制备欧姆接触p电极作为第二电极。利用本发明,可以大大提高硅探测器的光电响应,即提高灵敏度,并使探测范围向红外光区域拓展。 |
metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
Patent Number | CN201010191164.9 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010191164.9 |
Patent Agent | 周国城 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21921 |
Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 韩培德. 一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法. CN201010191164.9. |
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