| 一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法 | |
韩培德
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法，其特征在于，该方法是在n型Si衬底迎光面制备具有杂质深能级的重掺杂n型Si层，在该重掺杂n型Si层上制备透明导电膜，再在该透明导电膜上制备欧姆接触n电极作为第一电极；在n型Si衬底背面或迎光面制备肖特基电极作为第二电极，或者在n型Si衬底背面或迎光面形成p型Si区域，再在该p型Si区域上制备欧姆接触p电极作为第二电极。利用本发明，可以大大提高硅探测器的光电响应，即提高灵敏度，并使探测范围向红外光区域拓展。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010191164.9 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010191164.9 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21921 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 韩培德. 一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法. CN201010191164.9. |
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| CN201010191164.9.pdf（602KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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