| 一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法 |
| 韩培德
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法，其特征在于，该方法是在n型Si衬底迎光面制备具有杂质深能级的重掺杂n型Si层，在该重掺杂n型Si层上制备透明导电膜，再在该透明导电膜上制备欧姆接触n电极作为第一电极；在n型Si衬底背面或迎光面制备肖特基电极作为第二电极，或者在n型Si衬底背面或迎光面形成p型Si区域，再在该p型Si区域上制备欧姆接触p电极作为第二电极。利用本发明，可以大大提高硅探测器的光电响应，即提高灵敏度，并使探测范围向红外光区域拓展。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN201010191164.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010191164.9
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21921
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
韩培德. 一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法. CN201010191164.9.
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