| 一种提高电子束曝光效率的方法 | |
| 王秀平; 杨晓红; 韩勤; 王杰; 刘少卿 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种提高电子束曝光效率的方法，该方法利用电子束曝光中的邻近效应，在曝光的版图设计时利用平行间隔线条曝光图形取代大面积曝光图形，使实际曝光图形只占大面积曝光图形的一半，从而有效的降低了电子束曝光的面积，减少了电子束曝光的时间，提高了电子束曝光的效率，降低了微纳加工的成本。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010201513.0 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010201513.0 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21919 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王秀平,杨晓红,韩勤,等. 一种提高电子束曝光效率的方法. CN201010201513.0. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010201513.0.pdf（1194KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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