| 非直线锥形倒锥耦合器结构 | |
任光辉 ; 陈少武
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明提供一种非直线锥形倒锥耦合器结构，包括：一硅衬底；一埋氧层，该埋氧层制作在衬底上，该埋氧层的材料为二氧化硅；一顶层硅，该顶层硅制作在埋氧层上，可以有效的防止光泄漏到衬底中，该顶层硅的一端为条形波导，另一端为倒锥耦合器，其中该倒锥耦合器为渐变的指数型或二次方型结构，该倒锥耦合器的工作波长为1500nm到1600nm，其插入损耗的波动小于0.3dB。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010207340.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010207340.3 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21915 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 任光辉,陈少武. 非直线锥形倒锥耦合器结构. CN201010207340.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010207340.3.pdf（317KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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