| 一种InGaN半导体光电极的制作方法 |
| 王辉; 朱建军; 张书明 ; 杨辉
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种InGaN半导体光电极的制作方法，该方法包括：步骤1：取一衬底(21)；步骤2：在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22)；步骤3：在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)；步骤4：在该InGaN纳米微结构层(31)上，外延生长或沉积n型或p型表面层(41)。利用本发明，将纳米结构引入到半导体光电极表面，大大降低了电极表面对光的反射，提高了电极与电解液的有效接触面积，增加了电化学反应效率，最大程度地提高了半导体光电极对太阳光的转换效率。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN201010263078.4
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010263078.4
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21899
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王辉,朱建军,张书明,等. 一种InGaN半导体光电极的制作方法. CN201010263078.4.
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