| 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法 | |
王杰; 韩勤; 杨晓红 ; 王秀平; 刘少卿
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法，包括：在砷化镓衬底上生长波长可调谐共振腔增强型探测器的外延片；清洗外延片，并对外延片进行第一次光刻，获得单悬臂的光刻胶掩膜图形；对外延片进行腐蚀，腐蚀出所要的悬臂台面，并去胶清洗；对腐蚀出悬臂台面的外延片进行第二次光刻，得到面积小于P型电极的图案；选择性的腐蚀掉牺牲层的剩余GaAs和其下的截止层AlxGa1-xAs，暴露P型电极接触层的GaAs，并去胶清洗；对腐蚀出P型电极窗口的外延片进行第三次光刻，得到P型电极图案；外延片带胶溅射钛金电极，并剥离、清洗。利用本发明，解决了截止层与电极接触层材料相制约的情况，降低了工艺难度与成本，制作出了优良的P型电极。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010263067.6 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010263067.6 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21897 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王杰,韩勤,杨晓红,等. 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法. CN201010263067.6. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010263067.6.pdf（2883KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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