SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法
孙晓明; 郑厚植; 章昊
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法,包括如下步骤:设计无上反射镜谐振腔增强型光电探测器的结构,形成探测器样品;将设计的探测器样品生长好以后,利用光谱仪测量样品的反射谱,标出反射谱中高反带区域的各个漏模;依据光学传输矩阵的原理编辑模拟程序,模拟得到与设计的无上反射镜谐振腔增强型光电探测器结构以及层厚完全一致的理论模拟反射谱;调节模拟程序中反射镜各层和腔体各层的厚度,使模拟得到的反射谱与实验测得的反射谱保持一致,然后改变模拟程序中吸收层的吸收系数,并观察模拟反射谱中各个漏模的变化,而同时源自谐振腔模式的漏模即腔模不会发生任何变化,从而判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器反射谱中的漏模是来自有源区吸收还是来自腔模。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
专利号CN200910091400.7
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910091400.7
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21867
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
孙晓明,郑厚植,章昊. 判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法. CN200910091400.7.
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