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一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法 | |
李京波![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明薄膜太阳能电池制备技术领域,公开了一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法,包括以下步骤:步骤1:利用超声波仪器和化学洗剂将浮法玻璃表面清洗干净,并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层;步骤2:将清洗干净的浮法玻璃放入沉积设备中,沉积透明电极层;步骤3:将沉积了透明电极层的基片用化学试剂超声清洗;步骤4:将清洗干净的基片放入生长设备中,生长CdS薄膜,完成太阳能电池CdS窗口层的制备。利用本发明,提高了器件的性能,可以利用该CdS薄膜制备大面积、低成本的太阳电池及其他光学器件,使CdS薄膜中杂质浓度降低,增强了CdS薄膜的质量。 |
metadata_83 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
Patent Number | CN200910241693.2 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910241693.2 |
Patent Agent | 周国城 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21855 |
Collection | 半导体超晶格国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李京波,朱峰. 一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法. CN200910241693.2. |
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CN200910241693.2.pdf(747KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
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