SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法
李京波; 朱峰
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明薄膜太阳能电池制备技术领域,公开了一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法,包括以下步骤:步骤1:利用超声波仪器和化学洗剂将浮法玻璃表面清洗干净,并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层;步骤2:将清洗干净的浮法玻璃放入沉积设备中,沉积透明电极层;步骤3:将沉积了透明电极层的基片用化学试剂超声清洗;步骤4:将清洗干净的基片放入生长设备中,生长CdS薄膜,完成太阳能电池CdS窗口层的制备。利用本发明,提高了器件的性能,可以利用该CdS薄膜制备大面积、低成本的太阳电池及其他光学器件,使CdS薄膜中杂质浓度降低,增强了CdS薄膜的质量。
metadata_83半导体超晶格国家重点实验室
Patent NumberCN200910241693.2
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910241693.2
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21855
Collection半导体超晶格国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
李京波,朱峰. 一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法. CN200910241693.2.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
CN200910241693.2.pdf(747KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[李京波]'s Articles
[朱峰]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[李京波]'s Articles
[朱峰]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[李京波]'s Articles
[朱峰]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.