| 高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究 | |
李志聪
| |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 王国宏 ; 王良臣 |
| 2011 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2011-06-07 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20774 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李志聪. 高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 博士毕业论文-李志聪定稿.pdf（3109KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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