| 高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究 | |
李志聪
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| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 王国宏 ; 王良臣 |
| 2011 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子学 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Date Available | 2011-06-07 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20774 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李志聪. 高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011. |
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