| 基于量子限制Stark 效应的Ge/SiGe量子阱电吸收调制器的设计与研制 | |
| 赵红卫 | |
| Subtype | 硕士 |
| Thesis Advisor | 成步文 |
| 2011 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子学 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Date Available | 2011-06-03 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20747 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 赵红卫. 基于量子限制Stark 效应的Ge/SiGe量子阱电吸收调制器的设计与研制[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011. |
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| 硕士论文-赵红卫-20082801362（3346KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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