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Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si | |
Wang QY; Tan LW; Wang J; Yu YH; Lin LY; Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. | |
2002 | |
会议名称 | Symposium on Silicon-based Heterostructure Materials held at the 8th IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2002) |
会议录名称 | INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29) |
页码 | 4271-4274 |
会议日期 | JUN 10-14, 2002 |
会议地点 | XIAN, PEOPLES R CHINA |
出版地 | JOURNAL DEPT PO BOX 128 FARRER ROAD, SINGAPORE 912805, SINGAPORE |
出版者 | WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD |
ISSN | 0217-9792 |
部门归属 | chinese acad sci, inst semicond, ctr mat sci, beijing 100083, peoples r china |
摘要 | In this paper, we report the fabrication of Si-based double hetero-epitaxial SOI materials Si/gamma-Al2O3/Si. First, single crystalline gamma-Al2O3 (100) insulator films were grown epitaxially on Si(100) by LPCVD, and then, Si(100) epitaxial films were grown on gamma-Al2O3 (100)/Si(100) epi-substrates using a CVD method similar to silicon on sapphire (SOS) epitaxial growth. The Si/gamma-Al2O3 (100)/Si(100) SOI materials are characterized in detail by RHEED, XRD and AES techniques. The results demonstrate that the device-quality novel SOI materials Si/gamma-Al2O3 (100)/Si(100) has been fabricated successfully and can be used for application of MOS device. |
学科领域 | 半导体材料 |
主办者 | Chinese Mat Res Soc.; Minist Sci & Technol China.; Natl Nat Sci Fdn China.; China Assoc Sci & Technol.; Chinese Acad Sci.; Chinese Acad Engn.; Govt Shaanxi Province & Xian City.; China Electr Mat Assoc. |
收录类别 | CPCI-S |
语种 | 英语 |
文献类型 | 会议论文 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14871 |
专题 | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
通讯作者 | Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang QY,Tan LW,Wang J,et al. Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si[C]. JOURNAL DEPT PO BOX 128 FARRER ROAD, SINGAPORE 912805, SINGAPORE:WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD,2002:4271-4274. |
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