Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法 | |
鞠研玲; 杨晓红 ; 韩 勤
| |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-01-16 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:配置氢氧化铵腐蚀液;步骤2:在衬底上制作一层光刻胶;步骤3:光刻，使光刻胶形成条形光刻胶图案;步骤4:将光刻好的衬底放入配好的腐蚀液中腐蚀，使衬底形成V型槽，取出，用去离子水反复清洗，然后氮气吹干;步骤5:将吹干后的衬底用丙酮清洗掉残留的光刻胶，氮气吹干，完成V型槽砷化镓图形衬底的制作。 |
| 申请日期 | 2008-07-02 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810116041.1 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13436 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鞠研玲,杨晓红,韩 勤. 采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法[P]. 2010-08-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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