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Quantum spin Hall effect and topological phase transition in InNxBiySb1−x−y/InSb quantum wells 期刊论文
NEW JOURNAL OF PHYSICS, 2017, 卷号: 19, 页码: 073031
Authors:  Zhigang Song;  Sumanta Bose;  Weijun Fan;  Dao Hua Zhang;  Yan Yang Zhang;  Shu Shen Li
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GaAs/Al(0.4)Ga(0.6)As多量子肼红外探测器光吸收计算 期刊论文
半导体学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 655
Authors:  范卫军;  夏建白
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短周期(Ge)n (Si)n 应变超晶格电子结构的自洽赝势计算 期刊论文
半导体学报, 1993, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 128
Authors:  范卫军;  顾宗权
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InxGa(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构 期刊论文
半导体学报, 1992, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 133
Authors:  范卫军;  夏建白
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First principle self-consistent pseudo-potential calculation the electronic structure of (InAs)、(GaAs)、superlattice 期刊论文
Chinese Physics Letters, 1992, 卷号: 9, 期号: 6, 页码: 305
Authors:  Fan Weijun;  Gu Zongquan;  Xia Jianbai
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电场下超晶格GaAs/Ga(1-x)AlxAs[111]的电子结构 期刊论文
半导体学报, 1991, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 323
Authors:  范卫军;  夏建白
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平行磁场下半导体超晶格的电子结构 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1990
Authors:  范卫军
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交叉电场和磁场下GaAs/AlGaAs超晶格子带结构 期刊论文
物理学报, 1990, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1465
Authors:  范卫军;  夏建白
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